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半导体材料与器件测试技术.pdf

半导体材料与器件测试技术.pdf

    实验一高频光电导法测量硅中少子寿命

    一、实验目的与意义

    非平衡少数载流子（少子）寿命是半导体材料与器件的一个重要参数。其测量方法主要有稳态法和

    瞬态法。高频光电导衰退法是瞬态测量方法，它可以通过直接观测少子的复合衰减过程，测得其寿命。

    本实验通过采用高频光电导衰退法测量高阻硅的少子寿命，加深学生对半导体非平衡载流子理论的理解，

    使学生学会用高频光电导测试仪和示波器测量半导体少子寿命。

    二、实验原理

    半导体在一定温度下，处于热平衡状态。半导体内部载流子的产生和复合速度相等。电子和空穴的

    浓度一定，如果对半导体施加外界作

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