CN107425068B 一种碳化硅Trench MOS器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107425068B公告日2020.02.07

(21)申请号201710433420.2

(22)申请日2017.06.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107425068A

(43)申请公布日2017.12.01

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平邹华刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

H01L29/78(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/12(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

CN105789290

CN105702720

CN106783946

A,2016.07.20,

A,2016.06.22,

A,2017.05.31,全文.

审查员李艳红

权利要求书3页说明书13页附图7页

(54)发明名称

一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN107425068B本发明公开了一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在传统器件沟槽栅结构下增设一层呈π型分布的多晶硅区，使其与外延层形成Si/SiC异质结，进而在器件内部集成二极管。相比直接利用碳化硅TrenchMOS的寄生碳化硅二极管，本发明显著降低了器件二极管应用时的结压降，同时，由于较大的异质结结面积改善了器件导通特性；进一步地，本发明减小了器件的栅-漏电容和栅-漏与栅-源电容的比值，提高了器件MOS应用时的性能和可靠性；此外，本发明还具有反向恢复时间短，反向恢复电荷少的优势，还保持传统碳化硅TrenchMOS器件反向漏电低，击穿电压高

CN107425068B

CN107425068B权利要求书1/3页

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1.一种碳化硅沟槽MOS器件，其元胞结构包括：自下而上依次设置的金属漏电极(7)、N+衬底(6)及N外延层(5);所述N外延层(5)上层一端具有第一P型基区(4),所述N外延层(5)上层另一端具有第二P型基区(41);所述第一P型基区(4)中具有相互独立的第一N源区(3)和第一P+接触区(2);所述第二P型基区(41)中具有相互独立的第二N+源区(31)和第二P+接触区(21);所述第一P+接触区(2)和第一N+源区(3)的上表面具有第一金属源电极(1);所述第二P接触区(21)和第二N+源区(31)的上表面具有第二金属源电极(1a);其特征在于：在两个P型基区(4、41)中间位置下方的N外延层(5)内具有呈π型分布的P型多晶硅区(11),P型多晶硅区(11)与N-外延层(5)的接触界面形成异质结；所述P型多晶硅区(11)分别与两个金属源极(1、1a)连接；所述P型多晶硅区(11)上方还具有与之相接触的沟槽栅结构，所述沟槽栅结构包括多晶硅栅(9),包围在所述多晶硅栅(9)底部与侧壁的栅介质层(10)以及设于多晶硅栅(9)部分上表面的金属栅极(8),沟槽栅结构的深度大于P型基区(4、41)的深度；各金属接触通过介质材料相互隔离形成左右对称的元胞结构。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅沟槽MOS器件，其特征在于，P型多晶硅区(11)包括呈π型分布的P型多晶硅区(11)和呈长条形分布的P型多晶硅区(11),二者在沟槽栅结构下方位置横向间隔分布。

3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅沟槽MOS器件，其特征在于，还包括相互独立的第一P+碳化硅区(12)和第二P+碳化硅区(121),两个P碳化硅区(12、121)分别设于P型多晶硅区(11)的两个枝区下方并且与之接触；两个P+碳化硅区(12、121)的宽度大于或者等于P型多晶硅区(11)相应枝区的宽度。

4.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅沟槽MOS器件，其特征在于，还包括相互独立的第一介质层区(13)和第二介质层区(131),两个介质层区(13、131)分别设于P型多晶硅区

(11)的两个枝区下方并且与之接触，两个介质层区(13、131)的宽度大于或者等于P型多