CN106024640A 一种沟槽栅器件的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106024640A

(43)申请公布日2016.10.12

(21)申请号201610602972.7

(22)申请日2016.07.28

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区上海浦东张

江高斯路497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人周伟赵宇航范春晖

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图5页

(54)发明名称

一种沟槽栅器件的制作方法

(57)摘要

CN106024640A本发明公开了一种沟槽栅器件的制作方法，通过采用分步刻蚀工艺，形成相连通的经部分刻蚀的沟槽栅区和经完整刻蚀的隔离区，并填充隔离材料，然后采用原位再次定义沟槽栅区的方式形成沟槽栅，从而彻底消除了原来在沟槽栅与隔离区之间存在的残留硅漏电通路，减小了源漏之

CN106024640A

步缀301:提供一其有沟道材料区的半导体村底，在

步缀301:提