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沈阳工业大学《电力电子应用技术》考博专业课真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、简答题（每题8分，共40分）

1.简述IGBT与MOSFET在导通压降、开关速度、耐压等级和驱动功率等方面的主要区别，并说明它们各自适用于哪些主要的电力电子应用场景。

2.解释什么是脉宽调制（PWM）控制？简述单极性PWM和双极性PWM控制方式下，输出电压（或电流）波形的调制原理和特点。说明SPWM控制的基本思想及其相比普通PWM的优势。

3.在三相桥式全控整流电路中，若其中一只晶闸管发生触发脉冲丢失，试分析在阻性负载和阻感性负载（L较大）两种情况下，电路的工作状态将如何改变？可能产生哪些不利影响？

4.简述直流斩波电路的基本工作原理。列举两种常见的直流斩波电路拓扑结构，并分别说明其适用于什么类型的负载。

5.什么是矢量控制（FOC）？简述其基本原理，包括坐标变换、解耦控制等关键步骤，并说明其为何能实现对交流电机转矩和磁链的独立、精确控制。

二、计算题（每题12分，共48分）

1.有一三相桥式全控整流电路，交流输入电压有效值U2=220V，负载为阻感性负载（R=10Ω，L足够大），假设晶闸管触发角α=30°。试计算：（1）输出电压的平均值Ud；（2）输出电流的平均值Id和有效值Io。

2.有一单相全波可控整流电路，采用变压器供电，变压器的二次侧电压有效值U2=100V，负载为纯阻性。要求输出直流电压平均值Ud在0～100V之间连续可调。试计算：（1）控制角α的变化范围；（2）当α=60°时，输出电压的平均值Ud和负载电流的平均值Id。

3.有一Boost变换器，输入电压Ui=100V，输出电压Uo=300V，负载电阻R=50Ω。假设开关管工作在理想状态（导通损耗和开关损耗为零），试计算：（1）开关管导通时间ton与周期T的比值（占空比D）；（2）理想情况下，变换器的效率η。

4.有一基于SPWM控制的三相逆变电路，输出线电压基波频率f0=50Hz，载波频率fc=3000Hz。试计算：（1）输出电压基波分量的相序；（2）在一个输出周期内，一个相电压（如A相）的基波电压存在多少个正弦脉冲，每个脉冲的宽度是多少（假设为等宽脉冲）？

三、分析题（每题26分，共52分）

1.分析单相全桥PWM整流电路的工作原理。说明在整流（能量从电网传输到负载）和有源滤波（PFC）模式下，电路中功率器件（如IGBT）的导通状态、电流方向以及输入电流波形的特点。假设电路工作在整流模式，试分析影响输入功率因数的主要因素。

2.有一交流异步电机采用矢量控制方式驱动，试分析从转子磁链定向到实现转矩控制的整个控制流程。说明在坐标变换（如Clarke、Park变换）中，需要进行哪些计算？并简述磁场定向控制（FOC）相比传统V/f控制的主要优点及其对系统性能的提升体现在哪些方面。

四、论述题（20分）

当前，电力电子技术在与新能源发电、电动汽车、智能电网等领域深度融合，呈现出哪些新的发展趋势？请选择其中一两个趋势，结合具体技术或应用，阐述其发展意义和面临的挑战。

试卷答案

一、简答题（每题8分，共40分）

1.答案：IGBT具有更高的电压等级和更大的电流处理能力，开关速度相对MOSFET较慢，但驱动功率比MOSFET小。MOSFET导通压降较小，开关速度快，驱动功率低，耐压等级相对较低。IGBT适用于高压、大功率应用，如电机驱动、开关电源；MOSFET适用于中低压、高频应用，如开关电源、变频器整流环节、中小功率逆变器。

解析思路：考察对两种主流器件性能参数和适用场景的掌握。需对比导通压降（On-statevoltagedrop）、开关速度（Switchingspeed）、耐压（Voltagerating）、驱动功率（Gatedrivepower）等关键参数的优劣，并联系实际应用。

2.答案：PWM控制是通过调节功率开关器件导通时间的宽度来改变输出电压（或电流）平均值的控制方式。单极性PWM：一个周期内开关器件导通或关断一次，输出电压极性不变。双极性PWM：一个周期内开关器件导通或关断两次，输出电压极性在正负间交替。SPWM控制是在正弦波调制信号和三角波载波信号相交点处产生脉冲，输出一系列宽度变化的等幅脉冲，使输出电压谐波含量大大降低，波形更接近正弦波。

解析思路：考察PWM基本概念、调制方式原理和特点。需区分单极性和双极性PWM的工作方式差异，并理解SPWM的调制原理及其优势（波形质量、谐波特性）。

3.答案：阻性负载：触发脉冲丢失后，电路仍能继续导通，但输出电压波形缺失对应的缺角，平均电压降低，电流也随之减小，输出功率下降。阻感性