CN106098691B 反熔丝结构、反熔丝存储器及其制作方法 （珠海创飞芯科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106098691B公告日2019.05.28

(21)申请号201610490086.X(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227(22)申请日2016.06.24

公司11227

代理人王宝筠

(51)Int.CI.(65)同一申请的已公布的文献号

(51)Int.CI.

申请公布号CN106098691A

HO1L27/112(2006.01)

(43)申请公布日2016.11.09HO1L21/8246(2006.01)

(30)优先权数据HO1L27/115(2017.01)15/089,1082016.04.01US(56)对比文件

(66)本国优先权数据CN104051617A,2014.09.17,201510382110.32015.07.01CNCN101258558A,2008.09.03,

(73)专利权人珠海创飞芯科技有限公司CN103137860A,2013.06.05,

CN104576600A,2015.04.29,地址

CN104576600A,2015.04.29,

路101号清华科技园(珠海)创业大楼A座A906

路101号清华科技园(珠海)创业大楼A

座A906

(72)发明人李立王志刚审查员谢中亮

CN102315173A,2012.01.11,

权利要求书3页说明书18页附图6页

(54)发明名称

CN106098691

CN106098691B

(57)摘要

本申请提供了一种反熔丝结构、反熔丝存储器及其制作方法，采用至少一层高介电常数K介质层作为反熔丝层，仅需薄薄的一层即可起到反熔丝结构中的绝缘作用，当所述反熔丝层被预设电压击穿后，比现有的反熔丝结构的电阻低，从而使本发明的存储器在编程后的整体电阻低，降低了应用此存储器的电路的耗。或者，在反熔丝结构中，通过在通孔内构成反熔丝层，使得反熔丝层限制于通孔内，当所述反熔丝层被预设电压击穿后，具有比现有的反熔丝结构更低的电阻，从而使本发明的反熔丝结构的整体电阻低，降低了电路的功耗。

100

CN106098691B权利要求书1/3页

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1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：

第一互连层；

第二互连层；

位于所述第一互连层和所述第二互连层之间第一金属间电介质层；

穿过所述第一金属间电介质层的第一通孔，所述通孔暴露部分所述第一互连层；

位于所述第一通孔中的第一电极，所述第一电极和所述第一互连层电接触；

位于所述第一金属间电介质层和所述第二互连层之间的第二金属间电介质层；

穿过所述第二金属间电介质层的第二通孔，其中，所述第二通孔位于所述第一通孔上方，所述第二通孔的中轴线与所述第一通孔的中轴线平行，所述第一通孔和所述第二通孔贯通为一个通孔；

位于所述第二通孔内且覆盖所述第二通孔内的第一电极的反熔丝层；

位于所述第二通孔中的第二电极，所述第二电极和所述第二互连层电接触；

其中，所述反熔丝层包括至少一层高介电常数K介质层，所述高介电常数K介质层为介电常数K值大于6的介质层；

所述第二通孔的横截面积小于所述第一通孔的横截面积；或者，

所述第二通孔的横截面积大于所述第一通孔的横截面积；

所述第二通孔延伸至所述第一金属间电介质层内，并环绕在所述第一电极侧面，所述反熔丝层边缘台阶环绕所述第一电极侧面。

2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝层包括采用原子层沉积ALD工艺沉积的SiO?层和/或Si?N4层。

3.根据权利要求1所述的反熔丝结构，