CN105990085A 等离子体刻蚀设备、聚焦环及其制作方法 （中微半导体设备(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN105990085A布日2016.10.05

(21)申请号201510095037.1

(22)申请日2015.03.03

(71)申请人中微半导体设备(上海)有限公司

地址201201上海市浦东新区金桥出口加工

区(南区)泰华路188号

(72)发明人左涛涛倪图强吴狄

(74)专利代理机构上海智信专利代理有限公司

31002

代理人王洁

(51)Int.CI.

HO1J37/32(2006.01)

H01J37/21(2006.01)

HO1J9/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

等离子体刻蚀设备、聚焦环及其制作方法

(57)摘要

CN105990085A152130151120140本发明公开了一种等离子体刻蚀设备、聚焦环及其制作方法，本发明在聚焦环的环状主体内部设置一电阻率较小的内置环，整体上降低了聚焦环的电阻率，使得基座在聚焦环上表面耦合的射频功率增强，故集中在基片边缘及侧面的电势强度相对变弱，使得基片上表面边缘及侧壁的电势场与基片中心区域的电势场均衡，调节了基片表面电场分布的均匀性。采用本发明的技术方案