CN105988311A 一种对准图形及其制作方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN105988311A布日2016.10.05

(21)申请号201510094928.5

(22)申请日2015.03.03

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人李兵章国伟

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

11336

代理人董巍高伟

(51)Int.CI.

GO3F9/00(2006.01)

HO1L23/544(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种对准图形及其制作方法

提供晶瓣，所途品围表而上形成负光

提供晶瓣，所途品围表而上形成负光阻

进行第一辱光、以初步定又正常的凸块图形

选取位于所迷品的边缘岭也含有效芯片数量不超过10个的芳干区斌为第二螺光区域，进行至少一次第二爆光其中所述第二曝光低直与所述第一

眼光位置范少错开二分起一所述负光阻色打开图形的距离

进行显影，其中在所述第二爆光区域的负光阻不会收监影去掉

形成凸块和位于所述第二爆光区城的无凸块区

CN105988311A本发明提供一种对准图形及其制作方