CN105958958B 一种石英晶体谐振器及其制作方法 （北京无线电计量测试研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105958958B公告日2018.09.25

(21)申请号201610269551.7

(22)申请日2016.04.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105958958A

(43)申请公布日2016.09.21

(73)专利权人北京无线电计量测试研究所

地址100854北京市海淀区142信箱408分

箱

(72)发明人崔巍潘立虎叶林周伟平郑文强王作羽刘小光

哈斯图亚

(51)Int.CI.

HO3H3/02(2006.01)

HO3H9/05(2006.01)

HO3H9/19(2006.01)

(56)对比文件

CN104535449A,2015.04.22,

JP昭54-78690A,1979.06.22,

JP特开2008-177723A,2008.07.31,审查员陈沙沙

(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理

有限公司11315代理人黄熊

权利要求书2页说明书11页附图7页

(54)发明名称

一种石英晶体谐振器及其制作方法

(57)摘要

CN105958958B本申请公开了一种石英晶体谐振器，用以缓解现有技术中的石英晶体谐振器产生的频率老化问题。该石英晶体谐振器包括：上电极、下电极以及石英晶片。所述上电极，包括：上电极衬底、上电极金属膜以及上电极金属引线；所述上电极衬底由绝缘材料制成；所述上电极衬底与所述下电极，分别设置在所述石英晶片的相对的两侧；所述上电极金属膜附着于所述上电极衬底；所述上电极金属膜位于所述上电极衬底与所述石英晶片之间，且所述上电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙；所述上电极金属引线，设置在所述上电极衬底与所述石英晶片之间存在的空隙

CN105958958B

CN105958958B权利要求书1/2页

2

1.一种石英晶体谐振器，包括上电极、下电极以及石英晶片，其特征在于：

所述上电极，包括：上电极衬底、上电极金属膜以及上电极金属引线；

所述上电极衬底由绝缘材料制成；

所述上电极衬底与所述下电极，分别设置在所述石英晶片的相对的两侧；

所述上电极金属膜附着于所述上电极衬底；

所述上电极金属膜位于所述上电极衬底与所述石英晶片之间，且所述上电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙；

所述上电极金属引线，设置在所述上电极衬底与所述石英晶片之间存在的空隙中；所述上电极金属引线与所述上电极金属膜相连接。

2.如权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于：

所述上电极衬底，包括第一定位结构；

所述下电极，包括与所述第一定位结构相契合的第二定位结构；

所述第一定位结构与所述第二定位结构榫接在一起。

3.如权利要求2所述的石英晶体谐振器，其特征在于：

所述第一定位结构包含卡槽部分，所述第二定位结构包含与所述第一定位结构包含的卡槽部分相契合的凸起部分；或

所述第一定位结构包含凸起部分，所述第二定位结构包含与所述第一定位结构包含的凸起部分相契合的卡槽部分；或

所述第一定位结构包含卡槽部分和凸起部分，所述第二定位结构包含与所述第一定位结构包含的卡槽部分和凸起部分分别相契合的凸起部分与卡槽部分。

4.如权利要求3所述的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上电极衬底为圆形；

所述上电极衬底包含的第一定位结构的数量为四个；且所述第一定位结构平均分布于所述上电极衬底边缘。

5.如权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于：

所述上电极衬底，包括上电极槽；所述上电极槽，为用于为所述上电极金属膜提供附着空间的凹槽；

所述上电极槽的深度值大于所述上电极金属膜的厚度值；

所述上电极金属膜，位于所述上电极槽中。

6.如权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于，所述下电极，包括：下电极衬底、下电极金属膜以及下电极金属引线；

所述下电极衬底由绝缘材料制成；

所述下电极金属膜附着于所述下电极衬底；

所述下电极金属膜位于所述下电极衬底与所述石英晶片之间，且所述下电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙；

所述下电极金属引线，设置在所述下电极衬底与所述石英晶片之间存在的空隙中；所述下电极金属引线与所述下电极金属膜相连接。

7.一种应用于如权利要求1-6之一所述的石英晶体谐振器的上电极，所述上电极包括上电极衬底、上电极金属膜以及上电极金属引线，其特征在