CN105161486B 苝四甲酸二酐有机层光电耦合器及其制作方法 （兰州文理学院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105161486B公告日2018.04.13

(21)申请号201510627707.X

(22)申请日2015.09.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105161486A

(43)申请公布日2015.12.16

(73)专利权人兰州文理学院

地址730010甘肃省兰州市城关区雁滩北

面滩400号

(72)发明人张旭

(74)专利代理机构甘肃省知识产权事务中心

62100

代理人刘继春

(51)Int.CI.

HO1L25/16(2006.01)

HO3K19/14(2006.01)

(56)对比文件

CN102723321A,2012.10.10,

CN202094178U,2011.12.28,

CN2578985Y,2003.10.08,

何锡源.《有机/无机光电探测器的研制及电参数优化》.《兰州大学硕士学位论文》.2003,54-55.

审查员曹毓涵

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

花四甲酸二酐有机层光电耦合器及其制作方法

(57)摘要

CN105161486B花四甲酸二酐有机层光耦合器，包括组装在同一密封的金属壳体内的发光器和受光器，发光器为GaAs红外发光二极管芯片，受光器为花四甲酸二酐光电探测器电极芯片。花四甲酸二酐光电探测器电极芯片，包括依次叠层的金电极层、P-Si衬底层、花四甲酸二酐单晶膜层和ITO膜层，ITO膜层表面设有镍膜层，镍膜层表面设有铝膜层；镍膜层与铝膜层组成芯片电极，芯片电极的直径为50μm。它以花四甲酸二酐有机光电探测器芯片为受光器、以GaAs红外发光二极管为发光器制作而成。其体积小、性能优良，宽频带响应、光电转换效率达98%以上，比硅光敏二极管及三

CN105161486B

CN105161486B权利要求书1/2页

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1.一种花四甲酸二酐有机层光耦合器的制造方法，其特征在于按照下述步骤进行：制作Au-Si欧姆接触层，在Si片正面沉积花四甲酸二酐薄膜，沉积ITO膜、高纯Ni薄膜与高纯A1薄膜，刻蚀A1-Ni电极引线孔与每个芯片的四周边缘以刻蚀出宽度为30μm的台阶，热压焊接花四甲酸二酐芯片与GaAs红外发光二极管芯片；具体方法如下：

a、制作Au-Si欧姆接触层

将厚度350μm,电阻率2Ω·cm,晶面指数为100,大圆片形状的P型单晶Si片，经抛光后作为基片，进行清洁处理：依次用甲苯、四氯化碳、丙酮、无水乙醇各超声波处理5min,而后使用去离子水冲洗；经H?SO?煮沸3min冷却至室温后再次用大量去离子水冲洗；经H?0:HF的体积比为9:1的腐蚀液微处理15秒，再次用去离子水多次冲洗后，在红外灯下烘干；用夹具将该Si片放置在高真空加热蒸镀设备中，待真空度达5×10?3Pa时，在高真空蒸镀室中在Si片的背面蒸镀200nm的Au薄膜后，并在合金化炉中通H?气，在385℃的温度下恒温6分钟，形成Au-Si欧姆接触层；

b、在Si片正面沉积花四甲酸二酐薄膜

在高真空状态下，将花四甲酸二酐在其升华点450℃向Si片正面沉积100nm的薄膜，使用型号为Rigaku-D/max-2400的X射线粉末衍射仪；采用Cu靶Kα辐射，其X射线波长为0.154056nm,管压为40kV,管流为150mA,衍射角20为5°~100?,扫描速度为5°/min,扫描步长为0.02?,每步采样时间为10秒；在上述条件下，测得在单晶Si片表面沉积的花四甲酸二酐只有α-PTCDA相存在，即花四甲酸二酐在单晶Si片的清洁表面形成单斜晶系结构；单斜晶系结构与Si片的界面形成了同型异质结；

c、沉积ITO膜、高纯Ni薄膜与高纯A1薄膜

在已沉积的花四甲酸二酐薄膜的表面分别依次沉积ITO膜、高纯Ni薄膜、高纯A1薄膜；Ni薄膜的作用是防止A1与ITO发生反应，阻止了A1与0反应形成Al?O3,提高了该光耦合器的稳定性及可靠性；其中ITO透明导电膜的厚度为150nm;Ni薄膜的厚度为50nm;A1薄膜的厚度为250nm;该基片在150℃通H?气的合金化炉中微合金化3分钟制得六层结构的基片；

d、刻蚀A1-Ni电极引线孔与每个芯片的四周边缘以刻蚀出宽度