CN111816606B 通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法 (旺宏电子股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-10 发布于山西
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CN111816606B 通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法 (旺宏电子股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111816606B

(45)授权公告日2025.05.30

(21)申请号201910337951.0

(22)申请日2019.04.25

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111816606A

(43)申请公布日2020.10.23

(30)优先权数据

16/380,0402019.04.10US

(73)专利权人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

(72)发明人江昱维张国彬胡志玮

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

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