AIDC电源的“最后一公里”，板载电源的高密高集成化革命-.pptxVIP

核心观点：

lAIDC算力建设增长，热功耗增长驱动数据中心电气架构全面升级。随着北美及亚太地区AI市场高速增长，智算中心（AIDC）建设进入高峰期。AI芯片（GPU/ASIC）的TDP（热设计功耗）呈指数级增长，以NVIDIA

B300为例，其TDP已达1400W，导致单机柜功率密度正从当前的不足20kW向未来的兆瓦级迈进。根据维谛《智算中心基础设施演进白皮书》统计，目前国内单机架功耗从通算中心（传统数据中心）的4-6kW向智算中心（AIDC）的20-40kW迈进，未来有望逐步提升至40-120kW甚至更高，智算中心机架呈现高功率密度趋势。智算中心机架高密度对配电设备面积占比、电能利用率、服务器电源功率、散热效率提出更高的要求。

l架构革新：AI机柜功率密度快速提升，AIDC电气架构有望向800VHVDC升级。相比415V交流电，800V直流电可在相同铜截面积下提升传输功率，显著降低电流和线缆体积，并将电源组件移出核心算力区，释放机架空间。英伟达已在其白皮书中明确推荐800VHVDC作为下一代AIDC标配，计划27年启动高压化改造，30年规模化应用，以实现对兆瓦级机柜高效供电。微软、谷歌亦分别推出了分离式高压直流方案。HVDC相较于UPS具备高转换效率、空间优化、可靠性高、灵活可扩展等优势，有望随智算中心建设逐步渗透。

l低电压大电流趋势驱动板载电源架构升级，三次电源加速向高度集成化、垂直化、模块化方向演进。随着电流飙升，电流在主板横向传输时产生的PDN损耗呈平方级增长，此外伴随PCB板上空间资源集成化，分立式器件无法兼顾高性能与紧凑布局，进而产生板载电源两大重要趋势。（1）电源器件从“分立”走向“高度集成”：为解决分立器件占板面积大、设计复杂的问题，DC/DC电源正从分立方案向电源模块演进。通过将DrMOS、电感、电容集成于单一封装，功率密度大幅提升，简化了设计并降低了EMI。（2）供电模式从“横向”走向“垂直供电”：垂直供电（VPD）是解决大电流传输损耗的终极方案。它将电压调节模块（VRM）从处理器周边移至主板背面、处理器正下方，电流通过基板通孔“垂直”向上直达芯片焊盘。VPD将供电路径缩短至极限，能降低PDN阻抗数倍以上。Vicor、Google等厂商已推出成熟的VPD模块，支持2500-3000A以上的电流需求。

l电源PCB有望从单一基板角色演进为“功能化载板”，高密度集成为核心趋势。板载电源高集成度、垂直化需求倒逼PCB本身发生革命性变化。（1）高密度化、无源器件嵌入：三次电源PCB正变得极其精密（如中富电路在17x23mm尺寸内集成14-18层PCB），要求PCB具备高多层、重铜、HDI工艺，以承载800W以上功率传输。此外为释放表面空间并缩短路径，电感、电容等被动元件正被直接埋入PCB内部。（2）电源模块嵌入PCB以实现IVR功能，电源PCB从单一基板演进为封装功能载板：集成稳压器（IVR）核心思想是将传统分散的电源管理组件（如功率晶体管、电感和电容等）高度集成到单个芯片或封装内，其采用“近距离供电”理念，将电压调节功能集成到处理器封装内部或直接嵌入芯片中，极大缩短了供电距离。对PCB而言，其需要采用mSAP工艺加工更精细的线宽线距，以实现IVR功能的封装及嵌入，电源PCB未来有望承担更多封装功能。

l盈利预测与投资建议。建议关注三次电源架构高密度集成趋势，如中富电路、铂科新材、新雷能等。同时关注数据中心HVDC趋势下的相关企业如禾望电气、中恒电气、科华数据、麦格米特、欧陆通等。

l风险提示。AI应用发展不及预期；下游AIDC资本开支波动；供应链价格波动；国产厂商份额拓展不及预期。

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行业专题研究|国防军工

2026年2月28日

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禾望电气603063.SHCNY30.542025/08/15买入41.851.401.7521.8117.45