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CN110620158B 氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法 （深圳市晶相技术有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-10 发布于山西
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CN110620158B 氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法 （深圳市晶相技术有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN110620158B

    (45)授权公告日2025.06.03

    (21)申请号201910914006.2

    (22)申请日2019.09.25

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110620158A

    (43)申请公布日2019.12.27

    (66)本国优先权数据

    201811125940.82018.09.26CN

    (73)专利权人深圳市晶相技术有限公司

    地址518000广东省深圳市坪山区坪山街

    道六和社区招商花园城17栋S1704

    (72)发明人林信南刘美华刘岩军

    (74)专

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