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微电子科学与工程（微电子器件制造工艺）试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题共40分）

答题要求：本卷共8小题，每小题5分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1.以下哪种光刻技术常用于大规模集成电路制造中最先进的制程节点？（）

A.紫外光刻

B.极紫外光刻

C.深紫外光刻

D.电子束光刻

2.在CMOS工艺中，源漏区的形成通常采用（）。

A.离子注入

B.热氧化

C.化学气相沉积

D.光刻

3.以下关于外延生长的说法，错误的是（）。

A.外延生长可以精确控制薄膜的厚度和成分

B.化学气相外延生长速度比物理气相外延慢

C.外延生长能改善晶体的电学性能

D.外延生长的薄膜与衬底晶格匹配度高

4.对于MOSFET器件，阈值电压的调整方法不包括（）。

A.改变栅氧化层厚度

B.调整源漏掺杂浓度

C.进行离子注入

D.改变衬底掺杂类型

5.干法刻蚀相较于湿法刻蚀的优点不包括（）。

A.刻蚀精度高

B.对衬底损伤小

C.刻蚀速率快

D.可实现选择性刻蚀

6.化学气相沉积过程中，以下哪种气体不会作为反应气体？（）

A.氢气

B.氧气

C.氮气

D.氩气

7.在MOSFET的制造中，多晶硅栅的形成步骤不包括（