CN111816606B 通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法 (旺宏电子股份有限公司).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.58万字
  • 约 31页
  • 2026-03-10 发布于山西
  • 举报

CN111816606B 通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法 (旺宏电子股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111816606B

(45)授权公告日2025.05.30

(21)申请号201910337951.0(51)Int.Cl.

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档