宣贯培训(2026年)《GBT 43493.2-2023半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》.pptxVIP

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目录

一、颠覆视觉的极限挑战：光学检测为何成为SiC功率器件规模化量产的“守门人”？

二、从黑箱到白盒：深度解读标准如何定义SiC同质外延片缺陷的无损检测“游戏规则”

三、魔鬼藏在细节中：专家视角下外延片表面形貌与常见缺陷类型的光学信号特征库构建

四、不止是看，更是精准识别：剖析标准中缺陷分类判据背后的科学逻辑与工程智慧

五、光与影的博弈：探秘明场、暗场、微分干涉等光学模式如何联手“围剿”致命缺陷

六、从定性到定量的飞跃：标准如何规定缺陷尺寸、密度与分布的核心量化评价指标体系

七、迷雾追踪：标准如何界定并区分那些极易混淆的“疑似”缺陷（疑难杂症深度剖析）