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CN111725244B 低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法 （成都京东方显示科技有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-10 发布于山西
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CN111725244B 低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法 （成都京东方显示科技有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN111725244B

    (45)授权公告日2025.06.03

    (21)申请号202010729669.X

    (22)申请日2020.07.27

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111725244A

    (43)申请公布日2020.09.29

    (73)专利权人成都京东方显示科技有限公司地址610200四川省成都市双流区黄甲街

    道青栏路1778号

    (72)发明人刘翔

    (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205

    专利代理师朱颖臧建明

    (51)Int.Cl.

    H10D

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