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磁控溅射工艺对纳米铜薄膜的影响

宗世强，张健，徐全国

（沈阳化工大学机械与动力工程学院，沈阳110142）

摘要：在磁控溅射设备上，通过改变工艺参数在硅片上镀20nm左右的纳米铜膜，研究了斜溅射靶的不同角度变化和直溅射靶的溅射温度对纳米铜薄膜的性能影响。使用SEM、EDS、台阶仪、四探针设备对铜薄膜的表面形貌、均匀性、元素种类与含量以及导电特性进行检测。结果显示：在斜溅射条件下，随着靶的角度琢增大，铜薄膜膜厚随之增加，薄膜表面整体变得更好，铜薄膜的均匀性和导电性提高；在直溅射条件下，温度参数对薄膜厚度基本没有影响，但提高了薄膜的致密性，温度越高，其均匀性越好，而导电性与薄膜厚度呈正相关，因此其导电性基本无变化。

关键词：磁控溅射；铜膜；影响参数；导电性；均匀性

中图分类号:TB34 文献标志码:粤 文章编号：员园园圆原圆猿猿猿（圆园24）08原园045原园5