CN104752135A 等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法 （中微半导体设备(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104752135A

(43)申请公布日2015.07.01

(21)申请号201310744220.0

(22)申请日2013.12.30

(71)申请人中微半导体设备(上海)有限公司

地址201201上海市浦东新区金桥出口加工

区(南区)泰华路188号

(72)发明人左涛涛吴狄

(74)专利代理机构上海智信专利代理有限公司

31002

代理人王洁

(51)Int.CI.

HO1JH01JHO1J

37/32(2006.01)

37/20(2006.01)9/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法

气体供应装置100

气体供应装置

100

120

110

170

CN104752135A本发明公开了一种静电卡盘，其制作方法及其应用的等离子体处理装置，所述静电卡盘包括绝缘层和位于绝缘层下方的阻热层。通过选择热传导系数较小的材料作为阻热层，设置在加热装置和基座之间，能够有效降低加热装置产生的热量向基座传导的速率，便于在静电卡盘和基座之间形成较大的温度梯度，维持静电卡盘上方基片的正常等离子体处理工艺，考虑到