dToF相机传感器封测知识基于SPAD的dToF传感器研究、SPAD(SiPM)的典型应用——测距辐射探测.docxVIP

南京邮电大学集成电路科学与工程学院、射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室和核探测与核电子学国家重点实验室的联合科研团队在《光学学报》期刊上发表了如下文章。该文章第一作者为王帅康，通讯作者为徐跃。本文基于0.18μmBCD工艺研究并实现了一种近红外高灵敏度dTOF探测器。

一种硅基高灵敏度近红外单光子dTOF探测器

SPAD器件

器件结构

所提出的近红外SPAD器件的截面图如图2所示。该器件利用BCD工艺提供的高压p阱（HVPW）和高压n+埋层（HVBN）之间形成的深结耗尽层作为雪崩倍增区，有效提高对近红外光子的探测概率。同时在HVPW里进行浅结的重掺杂P+注入，并在p+表面外侧形成环形的阳极，且在p+区表面中间不做金属硅化物淀积，形成透光的窗口。高压n阱（HVNW）作为n+埋层的引出区域，在其表面进行浅结的重掺杂n+注入，并在n+区表面形成环形的阴极。在器件阴极n+接触孔和阳极p+接触孔之间还有浅沟槽隔离（STI），防止器件电极之间发生击穿。特别是在雪崩倍增区外侧有低掺杂的p型外延层（P-epi）作为器件的虚拟保护环，不但能避免器件表面被过早击穿，而且能有效降低保护环区域的电场，减小STI周围缺陷引起的暗计数噪声影响。SPAD器件对光子的吸收主要发生在雪崩倍增区和高压p阱区，由于雪崩倍增区被完全耗尽且深埋于衬底，因此能获得比高压p阱区更高的近红外光生载流子量子效率。高压