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《硅集成电路工艺》硅集成电路工艺期末试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填入括号内）

1.在硅晶体中，掺入三价元素（如硼）主要目的是为了（）。

A.增加多数载流子浓度

B.增加少数载流子浓度

C.提高载流子迁移率

D.降低本征载流子浓度

2.热氧化过程中，在SiO?/Si界面会消耗掉一定量的硅，这种现象称为（）。

A.氧化掩蔽效应

B.硅的各向异性腐蚀

C.硅的各向同性氧化

D.空间电荷限制电流

3.光刻工艺中，定义图形特征最小尺寸的关键参数是（）。

A.光源波长

B.光刻胶厚度

C.遮光膜图案分辨率

D.以上都是

4.下列哪种工艺步骤通常用于形成MOSFET的栅极？（）

A.掺杂

B.氧化

C.光刻

D.外延

5.在CMOS工艺中，N阱通常采用（）掺杂工艺制作。

A.P型扩散

B.N型扩散

C.N型离子注入

D.P型离子注入

6.用于在半导体表面形成薄层绝缘膜或导电膜的技术是（）。

A.外延生长

B.光刻

C.