CN102683177B 一种制作半导体内建应力纳米线的方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN102683177B公告日2015.07.08

(21)申请号201210136041.4

(22)申请日2012.05.04

(73)专利权人上海华力微电子有限公司

地址201210上海市浦东新区张江高科技园

区高斯路568号

(72)发明人黄晓橹葛洪涛

(74)专利代理机构上海新天专利代理有限公司

31213

代理人

(51)Int.CI.

HO1L

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审查员

王敏杰

21/02(2006.01) 21/336(2006.01)29/78(2006.01)

刘乐

权利要求书1页说明书6页附图7页

(54)发明名称

一种制作半导体内建应力纳米线的方法

(57)摘要

CN102683177B本发明提供了一种制作内建应力纳米线的方法、制作半导体器件的方法、以及所述方法制作的NWFET半导体器件，本发明所述方法采用后栅工艺(Gate-last),在进行栅极区域刻蚀时，NWFET区域侧面已有SiO?层保护，这时栅极区域的NW受到的反向应力方向是水平方向的，从而有效解决了美国专利US2011/0104860A1中出现的问题，即避免了半导体纳米线反向内建应力不在水平方向的问题，从而避免了半导体纳米线中间部位可

CN102683177B

CN102683177B权利要求书1/1页

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1.一种制作半导体内建应力纳米线的方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1,提供半导体衬底，所述半导体衬底包括位于顶层的半导体层和顶层半导体层下方的埋氧层，顶层半导体层中含有杂质离子；

步骤2,在顶层半导体中确定半导体纳米线场效应晶体管制备区域，通过刻蚀制备所述半导体纳米线场效应晶体管区域，刻蚀至埋氧层，并刻蚀去除部分埋氧层，使刻蚀区域的埋氧层上表面低于半导体纳米线场效应晶体管区域埋氧层上表面；所述半导体纳米线场效应晶体管区域包括两端的源漏衬垫，以及连接两端的纳米线区域；

步骤3,去除纳米线区域下方的部分埋氧层，使纳米线区域与埋氧层分离；

步骤4,通过热氧化以及湿法刻蚀除去顶层的半导体层表面的一氧化层，在纳米线区域制备半导体纳米线；

步骤5,顶层半导体表面以及埋氧层表面沉积应变薄膜；

步骤6,沉积二氧化硅覆盖于埋氧层上表面和顶层半导体层上表面以及侧壁，同时使顶层半导体层与埋氧层之间的空隙中填充二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅衬底中，埋氧层厚度为10~1000nm,顶层半导体层厚度为10～200nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应变薄膜是压应力薄膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应变薄膜是张应力薄膜。

5.一种制作NMFET半导体器件的方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1,提供半导体衬底，所述半导体衬底包括位于顶层的半导体层和顶层半导体层下方的埋氧层，顶层半导体层中含有杂质离子；

步骤2,在顶层半导体中确定半导体纳米线场效应晶体管制备区域，通过刻蚀制备所述半导体纳米线场效应晶体管区域，刻蚀至埋氧层，并刻蚀去除部分埋氧层，使刻蚀区域的埋氧层上表面低于半导体纳米线场效应晶体管区域埋氧层上表面；所述半导体纳米线场效应晶体管区域包括两端的源漏衬垫，以及连接两端的纳米线区域；

步骤3,去除纳米线区域下方的部分埋氧层，使纳米线区域与埋氧层分离；

步骤4,通过热氧化以及湿法刻蚀除去顶层的半导体层表面的一氧化层，在纳米线区域制备半导体纳米线；

步骤5,顶层半导体表面以及埋氧层表面沉积应变薄膜；

步骤6,沉积二氧化硅覆盖于埋氧层上表面和顶层半导体层上表面以及侧壁，同时使顶层半导体层与埋氧层之间的空隙中填充二氧化硅；

步骤7,确定栅极区，并刻蚀去除栅极区的应变薄膜，刻蚀至埋氧层，暴露出栅极区的纳米线；

步骤8,在暴露出的纳米线表面沉积栅氧层，然后在栅极区沉积栅极材料，形成栅极；

步骤9,去除剩余的填充二氧化硅和应变薄膜，沉积侧墙，然后进行源漏注入工艺、金属硅合金工艺以及接触孔制作工艺，将栅极、源极、漏极引出，制备半导体器件。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅氧层材料为高k材料。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅极材料选自多晶硅、无定型硅，金属或上述物质的任意组合。

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