CN113451099B 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 (株式会社国际电气).docxVIP

  • 3
  • 0
  • 约2.8万字
  • 约 55页
  • 2026-03-12 发布于山西
  • 举报

CN113451099B 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 (株式会社国际电气).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113451099B

(45)授权公告日2025.06.03

(21)申请号202110320162.3

(22)申请日2021.03.25

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113451099A

(43)申请公布日2021.09.28

(30)优先权数据

2020-0575642020.03.27JP

(73)专利权人株式会社国际电气地址日本东京都

(72)发明人上村大义谷山智志白子贤治嶋田宽哲堀井明中田高行

山岛规裕

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档