CN102130160A 槽形沟道AlGaNGaN增强型HEMT器件及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102130160A

(43)申请公布日2011.07.20

(21)申请号201110001532.3

(22)申请日2011.01.06

(71)申请人西安电子科技大学

HO1L21/335(2006.01)

HO1L21/285(2006.01)

地址710071陕西省西安市陕西省西安市太

白南路2号

(72)发明人张进成陈珂郝跃马晓华

王冲付小凡马俊彩刘子扬林志宇张凯

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图3页

(54)发明名称

槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法

源

源栅厂漏

介质AIGaN

GaN-II2DEG

GaN-II

村底

CN102130160A