CN102130061A 制作集成双纵向沟道soi ldmos器件的方法 （杭州电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102130061A

(43)申请公布日2011.07.20

(21)申请号201110001092.1

(22)申请日2011.01.05

(71)申请人杭州电子科技大学

地址310018浙江省杭州市浙江省杭州市下

沙高教园区2号大街

(72)发明人张海鹏许生根陈波李浩

(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公司33200

代理人杜军

(51)Int.CI.

HO1L21/8238(2006.01)

HO1L21/762(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书6页

(54)发明名称

制作集成双纵向沟道SOILDMOS器件的方法

(57)摘要

CN102130061A本发明涉及一种制作集成双纵向沟道SOILDMOS器件的方法。现有方法制作的SOILDMOS器件没有双纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现双纵向槽栅结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向掺杂分布的离子注入阱和阱欧姆接触掺杂工艺，在n源区掺杂的同时进行栅极和漏极掺杂