CN102117866A 半导体晶片及半导体装置以及制作半导体晶片及装置的方法 （香港应用科技研究院有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102117866A

(43)申请公布日2011.07.06

(21)申请号200910265759.1

(22)申请日2009.12.31

(71)申请人香港应用科技研究院有限公司地址中国香港

(72)发明人薛萍袁述

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

代理人孟锐

(51)Int.CI.

HO1L33/00(2010.01)

权利要求书2页说明书11页附图27页

(54)发明名称

半导体晶片及半导体装置以及制作半导体晶片及装置的方法2200

2216

2214=

2210

2208

2206

2204

2202

22D-2-722

CN102117866A本发明提供半导体晶片、半导体装置及制作半导体晶片及装置的方法。本发明的实施例尤其适合与衬底替换应用一起使用，例如在制作垂直LED的情况下。本发明的一个实施例包括一种制作半导体装置的方法，所述方法包含：提供衬底；在所述衬底上形成多个抛光止挡件，所述多个抛光止挡件中的每一者包括陶瓷材料；在所述衬底上生长一个或一个以上缓冲层；及在所述一个或一个以上缓冲层上生长一个或一个