CN102435634A 一种otft集成传感器阵列及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102435634A

(43)申请公布日2012.05.02

(21)申请号201110359421.X

(22)申请日2011.11.14

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人太惠玲蒋亚东严剑飞李娴张波

(74)专利代理机构成都华典专利事务所(普通合伙)51223

代理人杨保刚徐丰

(51)Int.CL.

GO1N27/00(2006.01)

B81B7/04(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种OTFT集成传感器阵列及其制作方法

W=4000

W=4000L=25W/L=160

CN102435634A本发明公开了一种OTFT集成传感器阵列，包括至少集成在同一个硅基片上四个以上的OTFT传感器单元，其特征在于：①所述OTFT传感器单元采用底电极器件构型，四个OTFT传感器单元共用源极和栅极，并且源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；②源极和漏极为金/钛双层膜：采用金材料做电极层，钛材料作为过渡层；③源极、漏极和栅极三端电极分别通过外引线来实现OTFT阵列的测试；④所述OTFT集成传感器阵列以有机/无机纳米复合薄膜为敏感薄膜。该OTFT集成传感器阵列结构简单，选择性好，灵敏度高，在环境

CN102435634A

CN102435634A权利要求书1/1页

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1.一种OTFT集成传感器阵列，包括至少集成在同一个硅基片上四个以上的OTFT传感器单元，其特征在于：

①所述OTFT传感器单元采用底电极器件构型，四个OTFT传感器单元共用源极和栅极，并且源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；

②源极和漏极为金/钛双层膜：采用金材料做电极层，钛材料作为过渡层；

③源极、漏极和栅极三端电极分别通过外引线来实现OTFT阵列的测试；

④所述OTFT集成传感器阵列以有机/无机纳米复合薄膜为敏感薄膜。

2.根据权利要求1所述的OTFT集成传感器阵列，其特征在于，共用的源极居中，OTFT传感器单元上下对齐排列。

3.根据权利要求1所述的OTFT集成传感器阵列，其特征在于，所述源极和漏极的宽度和长度分别为4000μm和25μm。

4.根据权利要求1所述的OTFT集成传感器阵列，其特征在于，漏极和源极的厚度为50~150nm。

5.根据权利要求1所述的OTFT集成传感器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①采用具有外延层、单晶硅器件层的硅片作为衬底，并进行标准清洗；

②采用干氧-湿氧-干氧顺序的热氧化方法制备二氧化硅绝缘层；

⑧采用磁控溅射法沉积Ti/Au双层膜；

①对Ti/Au双层膜进行光刻、刻蚀、去胶和标准清洗工艺；

⑤划片；

⑥封装：采用60μm硅铝丝分别在源漏栅三端极引出测试线路，其中背栅极采用导电胶烧结的方法连接，源漏电极采用压焊的方法实现连接；

⑦采用掩模法对不同OTFT单元实现定位选区薄膜沉积，所述薄膜为有机/无机纳米复合薄膜。

6.根据权利要求5所述的OTFT集成传感器阵列的制备方法，其特征在于，其中步骤①所述硅片衬底厚度为300-600μm,电阻率小于0.02Ω·cm,外延层厚度为5-15μm,电阻率为2.0到8.0Ω·cm。

7.根据权利要求5所述的OTFT集成传感器阵列的制备方法，其特征在于，其中步骤②二氧化硅介质层厚度为80-250nm。

8.根据权利要求5所述的OTFT集成传感器阵列的制备方法，其特征在于，其中步骤⑦所述所述有机/无机纳米复合薄膜的厚度为70-200nm。

9.根据权利要求5所述的OTFT集成传感器阵列的制备方法，其特征在于，其中步骤⑦所述有机/无机纳米复合薄膜中，有机相为聚苯胺、酞菁络合物类或聚噻吩类，无机相为纳米TiO?、In?O?、Zn0、SnO?或碳纳米管。

10.根据权利要求5所述的OTFT集成传感器阵列的制备方法，其特征在于，采用气喷、电喷或真空蒸发工艺进行有机/无机纳米复合薄膜的制备。

CN102435634A说明书1/5页

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一种OTFT集成传感器