CN102376684A 铜互连结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102376684A

(43)申请公布日2012.03.14

(21)申请号201110383348.X

(22)申请日2011.11.25

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人赵宇航康晓旭

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人郑玮

(51)Int.CI.

HO1L23/522(2006.01)

HO1L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图6页

(54)发明名称

铜互连结构及其制作方法

在村康上沉积牺种层102

在村康上沉积牺种层

102

□内的牺整层，形成多个第一沟槽放通孔

,个所述第三、口大于第一口

刻蚀第二窗口内的牺牲层，形成顶部

呈倒梯形的沟槽或通孔，去除光刻胶

在上述结构表面填充第一

互连介质层覆盖牺牲层

化学机械研磨牺性层上的第一互连介质

层，同时去除部分牺牲层，形成释放口

去除牺桂层

在上述结构表面沉积第二互连介质层封住

释放口，第一互连介质层之间形成密闭空腔

在第二互连介质层上涂覆光刻液，