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CN112436021B 半导体装置的制造方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

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  • 2026-03-12 发布于山西
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CN112436021B 半导体装置的制造方法 （株式会社半导体能源研究所）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN112436021B

    (45)授权公告日2025.06.06

    (21)申请号202011380786.6

    (22)申请日2016.01.28

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112436021A

    (43)申请公布日2021.03.02

    (30)优先权数据

    2015-0199382015.02.04JP

    (62)分案原申请数据

    201680008319.62016.01.28

    (73)专利权人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川

    (72)发明人肥塚纯一冈崎健一黑崎大辅神长正

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