CN102263061B 一种形成在块体衬底上的自对准多栅极晶体管及其制作方法 （格罗方德半导体公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102263061B

(45)授权公告日2014.02.26

(21)申请号201110136239.8

(22)申请日2011.05.18

(30)优先权数据

102010029527.22010.05.31DE

(73)专利权人格罗方德半导体公司地址英国开曼群岛

专利权人格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司

US2008/0029821A1,2008.02.07,JP特开平4-276662A,1992.10.01,US2009/0302372A1,2009.12.10,US2009/0114979A1,2009.05.07,US2006/0286755A1,2006.12.21,US2009/0114979A1,2009.05.07,

审查员黎欣

(72)发明人A·卫V·斯科勒德T·沙伊普T·维尔纳J·格罗舍普夫

(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司11314

代理人程伟王锦阳

(51)Int.CI.

HO1L21/8234(2006.01)

HO1L27/105(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

(56)对比文件

US2008/0029821A1,2008.02.07,权利要求书2页说明书14页附图17页

(54)发明名称

一种形成在块体衬底上的自对准多栅极晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN102263061B本发明涉及一种形成在块体衬底上的自对准多栅极晶体管。基于掩模材料中所提供的多个栅极开孔或栅极沟槽可形成在块体配置的三维晶体管。因此，在由该栅极开孔定义的部分内的下伏主动区中可有效地图样化多个自对准半导体鳍片，同时可有效地掩模将要提供平面型晶体管在其中

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CN102263061B权利要求书1/2页

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1.一种半导体器件的制作方法，包含下列步骤：

在半导体器件的半导体层上方形成第一掩模层，该掩模层包含定义栅极电极的横向尺寸及位置的栅极开孔；

在该栅极开孔中形成第二掩模层，该第二掩模层包含定义待形成在该半导体层中的多个鳍片的横向尺寸及位置的多个掩模特征；

利用该第一及第二掩模层执行蚀刻工艺，以便在该半导体层的部分中形成该鳍片；以及

在去除该第二掩模层后，在该栅极开孔中形成栅极电极结构，该栅极电极结构包含该栅极电极且连接至该多个鳍片；以及

在该栅极开孔中形成有预定义高度水平的介电材料，以在该介电材料上暴露该多个鳍片的部分高度，而调整通过该栅极开孔所形成的该多个鳍片的电性有效高度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成该介电材料的步骤包含下列步骤：在该第一掩模层上方及该栅极开孔内形成该介电材料以及使用该第一掩模层作为终止材料来去除该介电材料的第一过剩部分。

3.如权利要求2所述的方法，其中，去除该介电材料的第一过剩部分的步骤包含下列步骤：执行化学机械平坦化工艺以及使用该第一掩模层作为化学机械平坦化终止层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成该第一掩模层的步骤包含下列步骤：在该半导体层上方形成第一子层以及在该第一子层上形成第二子层，其中，对于该化学机械平坦化工艺，与该第一子层相比，该第二子层有经增加的终止能力。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该第二子层经形成为含有铂。

6.如权利要求2所述的方法，其中，形成该介电材料的步骤进一步包含下列步骤：通过执行蚀刻工艺来去除第二过剩部分以便暴露该多个鳍片的目标高度。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包含下列步骤：在去除该第一掩模层后，在该半导体层中形成与该栅极电极结构横向相邻的漏极及源极区。

8.如权利要求6所述的方法，其中，形成该栅极电极结构的步骤包含下列步骤：在该介电材料上方形成电极材料与占位材料中的至少一材料以及在该电极材料上形成掩模材料。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成该栅极电极结构的步骤进一步包含下列步骤：在该栅