CN105679819B 一种逆导型mos栅控晶闸管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105679819B公告日2018.12.11

(21)申请号201610155996.2

(22)申请日2016.03.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105679819A

(43)申请公布日2016.06.15

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人陈万军李震洋蒋华平刘超

古云飞程武张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/745(2006.01)

HO1L21/332(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)

(56)对比文件

CN102623492A,2012.08.01,

CN103022089A,2013.04.03,

US2009127660A1,2009.05.21,US8686531B2,2014.04.01,

审查员李海龙

权利要求书1页说明书4页附图6页

(54)发明名称

一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法

(57)摘要

CN105679819B本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅提高阳极短路电阻来抑制snapback效应，而随着电压增加，P浮空区也会向N漂移区进行空穴发射，以进行电导调制，抑制snapback效应；同时，在反向导通时，由于额外引入的P浮空区，导通时将经过寄生PNPN结构，电流到一定量

CN105679819B

CN105679819B权利要求书1/1页

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1.一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：在硅片衬底上制作结终端，形成N型漂移区(7);

第二步：在N型漂移区(7)上表面的一侧通过热氧化形成栅氧层(3),并在栅氧层(3)上淀积一层多晶硅/金属再刻蚀形成栅电极(2);

第三步：在N型漂移区(7)上层注入P型杂质并推结形成P阱(6);

第四步：在N型漂移区(7)上层注入N型杂质形成N阱(5);所述N阱(5)位于P阱(6)中；在N型漂移区(7)上层注入P型杂质形成P+区(4);所述P+区(4)位于N阱(5)中；

第五步：在器件上表面淀积BPSG绝缘介质层，刻蚀欧姆接触孔；

第六步：在P阱(6)、N阱(5)、P+区(4)上表面淀积金属，形成阴极金属(1);

第七步：淀积钝化层；

第八步：对N型漂移区(7)下表面进行减薄、抛光处理，在一侧采用较高能量注入P型杂质形成P型浮空区(8)并进行热推结，在同一侧继续注入N型杂质，形成N型阳极区(9);P型浮空层(8)呈倒“L”型覆盖在N型阳极区(9)上；在另一侧注入P型杂质形成P型阳极区(10),进行离子激活；

第九步：在器件下表面淀积BPSG绝缘介质层，刻蚀欧姆接触孔，留下氧隔离层(12);氧隔离层(12)的上表面分别与P型浮空层(8)、N型阳极区(9)和P型阳极区(10)的下表面连接；

第十步：在器件下表面进行金属淀积以形成阳极(11)。

CN105679819B说明书1/4页

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一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。

背景技术

[0002]随着人类社会的不断发展，能源的消耗量也不断增加，增加产出的同时，对于电能的利用率有着越来越高的要求。这些要求的实现，有赖于电力电子器件的发展。MOS栅控晶闸管作为一种新型功率器件，也得到了大家的关注。

[0003]MOS栅控晶闸管(MOSGatedThyristor)