CN102668281A Iii族氮化物半导体激光器元件、制作iii族氮化物半导体激光器元件的方法及外延基板 （住友电气工业株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102668281A

(43)申请公布日2012.09.12

(21)申请号201080059063.4

(22)申请日2010.11.11

(30)优先权数据

2009-2958022009.12.25JP

2010-1589492010.07.13JP

(85)PCT申请进入国家阶段日

2012.06.25

(86)PCT申请的申请数据

PCT/JP2010/0701402010.11.11

(87)PCT申请的公布数据

WO2011/077849JA2011.06.30

(71)申请人住友电气工业株式会社地址日本大阪府大阪市

(72)发明人善积祐介盐谷阳平京野孝史住友隆道嵯峨宣弘足立真宽

住吉和英德山慎司高木慎平

池上隆俊上野昌纪片山浩二(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限

责任公司11219代理人谢丽娜关兆辉

(51)Int.CI.

HO1S5/343(2006.01)

权利要求书6页说明书28页附图27页

(54)发明名称

III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及外延基板

31aLGV

31a

LGV

ALPHA

15

13.,196DSUB

17413

17b

13b

6

CR

13d

378372333

3635

LCP

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。

CN102668281A权利要求书1/6页

2

1.一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：

激光器构造体，其含有由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及

电极，其设于上述激光器构造体的上述半导体区域上，

上述半导体区域包括由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，

上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层包含氮化镓系半导体层，

上述支撑基体的上述六方晶系II族氮化物半导体的c轴，相对于上述法线轴向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴方向以角度ALPHA倾斜，

上述激光器构造体包括与m-n面交叉的第1及第2切断面，该m-n面由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴所界定，

该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含上述第1及第2切断面，上述激光器构造体包含第1及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述第1及第2切断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，

上述角度ALPHA为45度以上80度以下或100度以上135度以下的范围，

上述激光器构造体包含在上述支撑基体的上述半极性主面上延伸的激光波导路，上述激光波导路在波导路向量的方向延伸，该波导路向量朝向自上述第1及第2切断面的一方指向另一方的方向，

表示上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴方向的c轴向量，包括与上述半极性主面平行的投影分量、及与上述法线轴平行的垂直分量，

上述波导路向量与上述投影分量所成偏移角在-0.5度以上+0.5度以下的范围。

2.一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：

激光器构造体，其含有由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的