CN102637726A MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102637726A

(43)申请公布日2012.08.15

(21)申请号201210131027.5

(22)申请日2012.04.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

HO1L21/335(2006.01)

(72)发明人张进成张琳霞郝跃王冲

马晓华孟凡娜侯耀伟党李莎艾姗李小刚鲁明

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

29/06(2006.01)

29/778(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图2页

(54)发明名称

MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法

栅13源9

栅13

源9介质8N型AIGaN

主势垒层4

冲层6

A?GaN次势垒层7

GaN主缓冲层3

过渡层2

衬底1

次2DEG沟道12

凹槽5

N型AIGaN主势垒层4

主2DEG沟道11

主2DEC沟道11

介质8

漏10

本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型AlGaN主势垒层(4),N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10),GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5),该凹槽(5)的内壁上依次设有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和栅极(13),凹槽(5)两侧的N型AlGaN主势垒层(4)上方的源、漏极之外设有介质(8)。本发明具有阈值电压高、调控性好、电流密度大、夹断特性优良，且工艺

CN102637726成熟，重复性好，可靠性高的优势，可用于大功率

CN102637726

CN102637726A权利要求书1/2页

2

1.一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管，包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型AlGaN主势垒层(4)、源极(9)和漏极(10);过渡层(2)位于衬底(1)上方；GaN主缓冲层(3)位于过渡层(2)上方；GaN主缓冲层(3)上方两侧为N型AlGaN主势垒层(4);N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧分别为源极(9)和漏极(10);其特征在于，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5),该凹槽(5)的内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)和AlGaN次势垒层(7);栅电极淀积在AlGaN次势垒层(7)上，并且覆盖整个凹槽(5)区域；凹槽(5)两侧的N型AlGaN主势垒层(4)上方的源、漏极之外设有介质(8)。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，凹槽(5)的底面为0001极性面，凹槽侧面为非0001面。

3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，GaN主缓冲层(3)与A1GaN主势垒层(4)的界面处形成主二维电子气2DEG沟道(11),该沟道(11)位于凹槽(5)的两侧；凹槽内外延的GaN次缓冲层(6)与AlGaN次势垒层(7)界面形成辅二维电子气2DEG沟道(12)。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，辅二维电子气2DEG沟道

(12)的水平位置低于主二维电子气2DEG沟道(11)的水平位置。

5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，A1GaN主势垒层(4)为掺杂浓度为5×101?cm?3的N型掺杂。

6.一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管的制作方法，包括以下步骤：

1)在金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中对衬底表面进行预处理；

2)在衬底上外延生长AlGaN/GaN外延层，其中GaN厚度为lum～4um,N型掺杂的Al、Ga??N势垒层厚度为16nm～36nm,其中A1元素的摩尔含量x为20%-30%;

3)在外延层上淀积一层掩膜介质层，再进行光刻，并采用湿法刻蚀方法对外延层上的介质层进行刻蚀，在外延层上形成长为0.5um的凹槽；

4)光刻出