CN102637573A 半导体处理装置及制作方法 （中微半导体设备(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102637573A

(43)申请公布日2012.08.15

(21)申请号201210134282.5

(22)申请日2012.04.28

(71)申请人中微半导体设备(上海)有限公司

地址201201上海市浦东新区金桥出口加工

区(南区)泰华路188号

(72)发明人尹志尧杜志游

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人骆苏华

(51)Int.CI.

HO1J37/32(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

半导体处理装置及制作方法

122射频匹

122

射频匹配器

120

110

111

115

射频供应源

CN102637573A一种半导体处理装置及制作方法，所述半导体处理装置包括：处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23%,所述镍的重量百分比范围为30%~68%。由于所述含有铬的镍合金形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头能有效的防止含有C1、F等卤族元素的

CN102637573A

CN102637573A权利要求书1/1页

2

1.一种半导体处理装置，包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，其特征在于，

至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23%,所述镍的重量百分比范围为30%~68%。

2.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述含有铬的镍合金层为哈氏镍合金或因科镍合金。

3.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔内壁和/或处理部件的主体的材料为不锈钢或铝，所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面具有含有铬的镍合金层。

4.如权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述含有铬的镍合金层的厚度为10μm~500μm。

5.如权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述含有铬的镍合金层为单层镍合金层或多层堆叠的镍合金层。

6.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔室内壁和/或处理部件的材料为含有铬的镍合金。

7.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置为等离子体处理设备。

8.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置为MOCVD设备，所述MOCVD设备具有等离子体产生装置，利用所述等离子体产生装置产生等离子体来清洁所述MOCVD设备的处理腔。

9.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理部件为用于通入源气体的气体喷淋头。

10.一种如权利要求3所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，包括：提供处理腔室和/或处理部件，在所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面形成含有铬的镍合金层。

11.如权利要求10所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，形成所述含有铬的镍合金层的工艺包括电镀、喷涂、溅射或沉积工艺。

12.如权利要求10所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述含有铬的镍合金层为单层镍合金层或多层堆叠的镍合金层。

13.如权利要求10所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述含有铬的镍合金为哈氏镍合金或因科镍合金。

14.一种如权利要求6所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，包括：提供处理腔室和/或处理部件，所述处理腔室内壁和/或处理部件利用含有铬的镍合金铸造或压制成型而成。

15.如权利要求14所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述含有铬的镍合金为哈氏镍合金或因科镍合金。

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