CN102437086A 基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102437086A

(43)申请公布日2012.05.02

(21)申请号201110361530.5

(22)申请日2011.11.16

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郝跃杨程戴显英奚鹏程

徐常春王希张瀚中张鹤鸣

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm;

3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)制作工艺简单；2)制作设备少；3)退火温度范围广；4)应变效果高；5)热性能良好；6)制作成本低。

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CN102437086A

CN102437086A权利要求书1/1页

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1.一种基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm;3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度在250℃至900℃范围内可任意选择；

5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。

2.根据权利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述的弯曲台的曲率半径可从1.2m到0.35m连续变化，其对应制作不同应变量的单轴应变GeOI晶圆；弯曲台材料采用ZG35Cr26Ni12耐热钢材料。

3.根据权利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述步骤4)的退火工艺为：在250℃下退火10小时；或者在400℃下退火6小时；或者在900℃下退火2.5小时。

4.根据权利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述GeOI晶圆为3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸的GeOI晶圆。

CN102437086A说明书1/6页

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基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变Ge01晶圆的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微电子技术领域，涉及半导体材料制作工艺技术。具体的说是一种制造SiN(氮化硅)埋绝缘层上单轴应变GeOI(GermaniumOnInsulater,绝缘层上锗)晶圆的新方法，能显著增强GeOI晶圆片的电子迁移率与空穴迁移率，提高GeOI器件与集成电路的电学性能和光学性能。

背景技术

[0002]半导体Ge的电子与空穴迁移率分别是Si的2.8倍和4.2倍，其空穴迁移率是所有半导体中最高的。与应变Si相似，应变Ge的载流子迁移率也有较大的提升，埋沟应变Ge的空穴迁移率可提高6-8倍。因此，Ge及应变Ge将是16纳米及以下工艺Si基CMOS器件与集成电路的最佳沟道材料。Ge还是极优异的光电材料，在探测器(可见光到近红外)、调制器、光波导、光发射器、太阳电池等有着极为广泛的应用。

[0003]由于禁带宽度只有0.67eV,Ge器件与电路的最大弱点是衬底的漏电较大。而GeOI正是为解决衬底泄漏电流而开发的，目前已广泛应用于半导体器件与集成电路的制造。

[0004]结合了应变Ge和GeOI优点的应变GeOI为研发