CN105742365A 射频ldmos晶体管及其制作方法 （东莞电子科技大学电子信息工程研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105742365A

(43)申请公布日2016.07.06

(21)申请号201610235235.8

(22)申请日2016.04.14

(71)申请人东莞电子科技大学电子信息工程研究院

地址523808广东省东莞市松山湖高新技

术产业开发区总部二路17号

(72)发明人邓小川刘冬冬梁坤元甘志

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人敖欢葛启函

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/78(2006.01)21/336(2006.01)29/40(2006.01)

29/06(2006.01)

权利要求书1页

说明书3页附图9页

(54)发明名称

射频LDMOS晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN105742365A本发明提供一种射频LDMOS晶体管，包含：P型外延层、背面金属电极、P阱、P+sinker区、N-漂移区、多晶硅栅极、栅氧化层，多晶硅栅极的上方右侧设有法拉第罩，法拉第罩包括阶梯状金属层和多个块状金属层，法拉第罩与半导体表面之间设有二氧化硅介质层；本发明还提供一