CN102969302A 基于二氧化铪的电子束套刻标记及其制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102969302A

(43)申请公布日2013.03.13

(21)申请号201210475683.7

(22)申请日2012.11.21

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人曾成夏金松张永

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人李智

(51)Int.CI.

HO1L23/544(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

GO3F9/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

基于二氧化铪的电子束套刻标记及其制作方法

(57)摘要

CN1029693022本发明公开了一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记，属于半导体器件微纳制造领域，其包括衬底和镀在衬底上的二氧化铪薄膜标记。本发明还提供了制作方法，具体为：(1)清洗衬底；(2)在衬底上旋涂电子抗蚀剂，通过电子束光刻工艺在电子抗蚀剂中形成套刻标记的图形阵列；(3)在电子抗蚀剂和衬底上蒸镀二氧化铪薄膜；(4)剥离附着在正性电子抗蚀剂的二氧化铪薄膜，得到二