CN105758501B 一种巨压阻双谐振质量传感器及其制作方法 （南京信息工程大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105758501B公告日2018.09.14

(21)申请号201610213732.8

(22)申请日2016.04.07

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105758501A

(43)申请公布日2016.07.13

(73)专利权人南京信息工程大学

地址210019江苏省南京市建邺区奥体大

街69号

(72)发明人张加宏潘周光葛益娴李敏孙林峰

(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224

代理人董建林

(51)Int.CI.

G01G3/13(2006.01)

B81B7/00(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

(56)对比文件

CN205537876U,2016.08.31,CN104913864A,2015.09.16,CN105203234A,2015.12.30,CN101153825A,2008.04.02,CN103557967A,2014.02.05,US5473944A,1995.12.12,

JP特开2015-114296A,2015.06.22,审查员张超然

权利要求书2页说明书4页附图7页

(54)发明名称

一种巨压阻双谐振质量传感器及其制作方法

(57)摘要

CN105758501B本发明公开了一种巨压阻双谐振质量传感器及其制备方法，包括传感器芯片和外部电路，其特征是，所述传感器芯片包括两个通过细纳米杆相连的谐振式传感器芯片和温度补偿装置芯片，所述谐振式传感器芯片包括谐振式传感器的敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层、铝顶层、激励电极、激励电极引出端电极和检测电极，所述硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层从下至上依次设置，所述的铝顶层与硅顶层处于同一层。本发明中的单晶硅纳米谐振薄膜表面通过修饰工艺处理过，带有残余应力，比传统硅压阻式谐振膜的应变系数高约2-3个数量级。此外，为消除温度对压阻阻值变化的影响，在本发明中引入

CN105758501B

YZ

CN105758501B权利要求书1/2页

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1.一种巨压阻双谐振质量传感器，包括传感器芯片和外部电路，其特征是，所述传感器芯片包括两个通过细纳米杆相连的谐振式传感器芯片和温度补偿装置芯片，所述谐振式传感器芯片包括谐振式传感器的敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层、铝顶层、激励电极、激励电极引出端电极和检测电极，所述硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层从下至上依次设置；所述的铝顶层与硅顶层处于同一层的不同区域，所述激励电极引出端电极和检测电极设置在铝顶层，所述激励电极设置在硅顶层，所述谐振式传感器的敏感结构设置在硅顶层，所述谐振式传感器的敏感结构包括单晶硅纳米谐振薄膜和T型纳米杆，所述单晶硅纳米谐振薄膜通过T型纳米杆锚定在硅顶层中心位置，所述激励电极引出端电极通过二氧化硅表面的导线与激励电极相连，所述检测电极与所述T型纳米杆相连；所述外部电路包括调理电路和控制电路，所述调理电路电联接传感器芯片和控制电路，所述控制电路和传感器芯片电联接；所述调理电路包括依次电联接的运放电路、滤波电路、模拟示波器；所述控制电路包括依次电联接的模数转换器、DC/DC隔离器、微处理器、液晶显示器，所述控制电路还包括分别与微处理器电联接的数模转换器和线性电源；其中调理电路的模拟示波器与控制电路的模数转换器电联接；其中运放电路的反向输入端与所述的其中一个谐振式传感器芯片的一个检测电极电联接，运放电路的正向输入端与所述温度补偿装置芯片的一个检测电极电联接，数模转换器与上述谐振式传感器芯片的引出端电极电联接。

2.根据权利要求1所述的一种巨压阻双谐振质量传感器，其特征是，所述运放电路是差模输入的运放电路，所述滤波电路是带通滤波电路，所述模数转换器是16位的ADS8319模数转换器，所述DC/DC隔离器是型号为ADUM5000的DC/DC隔离器、所述微处理器是三星的S3C2410微处理器、所述液晶显示器是2.8寸TFTLCD液晶显示器、所述数模转换器是16位的DAC8531数模转换器，所述线性电源是LDO线性电源。

3.根据权利要求1所述的一种巨压阻双谐振质量传感器，其特征是，所述单晶硅纳米谐振薄膜呈方形，所述激