CN105826434B 一种金刚石热沉GaN基LED的制作方法 （陕西科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105826434B公告日2018.05.01

(21)申请号201610172206.1

(22)申请日2016.03.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105826434A

(43)申请公布日2016.08.03

(73)专利权人陕西科技大学

地址710021陕西省西安市未央区大学园1

号

(72)发明人王进军

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

代理人陆万寿

(56)对比文件

CN104576846A,2015.04.29,

JP特开2007-235181A,2007.09.13,CN102130244A,2011.07.20,

CN101155949A,2008.04.02,

US2006/0278884A1,2006.12.14,审查员魏芳芳

权利要求书2页说明书5页附图5页

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

33/00(2010.01)

33/64(2010.01)

(54)发明名称

一种金刚石热沉GaN基LED的制作方法

(57)摘要

CN105826434B本发明提供一种金刚石热沉GaN基LED制作方法，在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料，形成蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si的三层结构，加热所述蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si三层结构去除蓝宝石衬底，将GaN基LED外延材料和金刚石热沉片低温键合、固化得到金刚石/GaN基LED外延材料/Si三层结构；去除所述金刚石/GaN基LED外延材料/Si三层结构中的Si临时支撑材料，ICP刻蚀GaN基LED外延材料，进行器件隔离，制作器件电极；本发明采用高热导率的金刚石做热沉，散热效果优于传统的衬底，键合方法属于低温工作，有效避免了传统的高温键合对材料性能的损伤，制作方法工艺简单、容易实现，重复性

CN105826434B

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CN105826434B权利要求书1/2页

2

1.一种金刚石热沉GaN基LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在蓝宝石衬底(1)上MOCVD生长GaN基LED外延材料；

(2)取一块具有(111)表面取向的Si晶片作为Si临时支撑材料(6),用粘合剂将所述Si临时支撑材料(6)粘到所述GaN基LED外延材料上，形成蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si的三层结构；

(3)用脉冲激光从蓝宝石一面扫描整个样品；加热所述蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si三层结构去除蓝宝石衬底，得到GaN基LED外延材料/Si两层结构；

(4)刻蚀、抛光暴露的GaN基LED外延材料，抛光到纳米级表面粗糙度，为晶片键合做准备；同时取一块金刚石热沉片(8)进行抛光；

(5)在所述暴露的GaN基LED外延材料和金刚石热沉片(8)表面淀积一薄层键合粘合剂，将两部分紧密接触进行低温键合、固化得到金刚石/GaN基LED外延材料/Si三层结构；

(6)去除所述金刚石/GaN基LED外延材料/Si三层结构中的Si临时支撑材料(6),得到金刚石/GaN基LED外延材料两层结构；

(7)ICP刻蚀金刚石/GaN基LED外延材料两层结构，进行器件隔离；

(8)制作器件电极。

2.根据权利要求1所述的一种金刚石热沉GaN基LED的制作方法，其特征在于：所述步骤

(1)具体如下：

(1.1)清洗蓝宝石衬底(1),用丙酮、去离子水各超声清洗2分钟；

(1.2)将蓝宝石衬底(1)在1000℃的H?气氛下进行烘烤，除去表面吸附杂质；

(1.3)以三甲基镓(TMGa)和氨气(NH?)分别作为Ga源和N源，N?和H?作为载气，530℃下采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(1)上低温生长50nm本征GaN缓冲层(2);

(1.4)接着以SiH?为n型掺杂剂，三甲基镓(TMGa)和氨气(NH?)作Ga源和N源MOCVD生长n-GaN层(3),掺杂浓度1×101?cm?3;

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