CN102969222B 与cmos工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102969222B

(45)授权公告日2015.03.18

(21)申请号201110257393.0

(22)申请日2011.09.01

(73)专利权人上海华力微电子有限公司

地址201203上海市浦东新区张江高科技园

区高斯路497号

(72)发明人曹永峰

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人陆花

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

21/02(2006.01)21/336(2006.01)

CN101060135A,2007.10.24,审查员温菊红

(56)对比文件

US2008/0237575A1,2008.10.02,

CN1855390A,2006.11.01,

CN102086024A,2011.06.08,

CN101592627A,2009.12.02,

权利要求书1页说明书4页附图5页

(54)发明名称

与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法

(57)摘要

CN102969222B本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法，该种制作方法在现有技术的制作