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CN112993011B 半导体结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-13 发布于山西
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CN112993011B 半导体结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN112993011B

    (45)授权公告日2025.06.10

    (21)申请号202011493051.4

    (22)申请日2020.12.17

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112993011A

    (43)申请公布日2021.06.18

    (30)优先权数据

    62/949,2612019.12.17US

    16/895,7952020.06.08US

    (73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

    (72)发明人黄仁安林毓超李东颖

    (74)专利代理机构隆天知识

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