CN102757011A 微机械热电堆红外探测器及其制作方法 （中北大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102757011A

(43)申请公布日2012.10.31

(21)申请号201110104209.9

(22)申请日2011.04.25

(71)申请人中北大学

地址030051山西省太原市学院路3号中北

大学

申请人中国科学院微电子研究所

(72)发明人薛晨阳张文栋刘俊熊继军夏燕欧文陈大鹏明安杰刘战峰袁锋赵利俊

(74)专利代理机构北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345

代理人陈红

(51)Int.CI.

B81C1/00(2006.01)

B81B3/00(2006.01)

GO1J5/12(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图8页

(54)发明名称

微机械热电堆红外探测器及其制作方法

(57)摘要

CN102757011A一种微机械热电堆红外探测器及其制作方法，在衬底表面形成具有自停止腐蚀作用的封闭凹槽；淀积形成介质支撑膜；淀积多晶硅，然后通过2次离子注入加光刻腐蚀分别形成P型和N型多晶硅热偶条，两热偶条之间淀积隔离层；光刻腐蚀隔离层，将热电堆之间的区域暴露出介质支撑膜形成吸收区；溅射一层金属形成金属连接；在吸收区表面淀积一层多晶硅或非晶硅层，然后经过Cl?、HBr干法不完全刻蚀形成表面为锥状森林结构的吸收层；光刻出腐蚀孔，通入XeF?气体进行干法刻蚀释放正面结构。本发明使用多晶硅作为吸收层材料，提高了传统SiNx吸收层的吸收率，且工艺简便。使用P/N型多晶硅作为热电偶，避免金属热偶与CMOS

CN102757011A

步骤10,在衬底表面形成封闭凹槽

步骤10,在衬底表面形成封闭凹槽

步骤20,形成介质支撑膜

步骤30,形成P型多晶硅热偶条

步骤40,淀积隔离层，然后离子注入

后光刻腐蚀形成N型多品硅热偶条

步骤50,光刻腐蚀S102隔离层形成吸收区

步骤60,形成金属连接

步骤65,形成钝化层

步骤70,淀积多晶硅，注入离子砷，然后经过C12、或HBr干法不完全刻蚀在吸收区表面形成锥状森林结构

步骤80,在吸收区光刻出腐蚀孔，进行干法刻蚀释放正面结构形成悬臂梁结构

CN102757011A权利要求书1/2页

2

1.一种微机械热电堆红外探测器的制作方法，其特征是：包括以下步骤：

步骤10,在晶片衬底表面形成具有自停止腐蚀作用的封闭凹槽；

步骤20,淀积SiO?层形成介质支撑膜，SiO?同时填充所述封闭凹槽；

步骤30和40,在所述介质支撑膜上淀积多晶硅，接着离子注入加光刻腐蚀形成P型、或N型多晶硅热偶条；淀积隔离层；然后再淀积多晶硅，接着再离子注入加光刻腐蚀形成N型、或P型多晶硅热偶条；最后形成多组由P/N型多晶硅热偶条上下叠置构成的热电堆；

步骤50,光刻腐蚀所述隔离层，将所述热电堆之间的区域暴露出介质支撑膜以便形成吸收区；

步骤60,溅射一层金属，经光刻腐蚀后形成金属连接和所述探测器的金属焊盘；

步骤70,淀积一层多晶硅或非晶硅层，接着注入离子砷，然后经过Cl?、或HBr干法不完全刻蚀，经光刻腐蚀形成表面为锥状森林结构的吸收层；

步骤80,光刻出腐蚀孔，通入XeF?气体进行干法刻蚀释放正面结构。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：

步骤60和步骤70之间还包括步骤65,通过低压化学汽相淀积低温淀积一层钝化层，光刻腐蚀后只露出所述吸收区和金属焊盘；

步骤70中的砷离子注入剂量4E15cm2,注入能量140Kev,Cl?、或HBr干法不完全刻蚀的刻蚀深度约为5000A-10000A;

步骤80中，光刻出腐蚀孔后通入XeF?气体之前还包括：淀积一层光刻胶，在所述吸收层区域表面形成一层保护层，然后再光刻一次暴露出所述吸收层，从而在所述腐蚀孔的侧壁的吸收层材料表面留下一层保护层。

3.如权利要求1、或2所述的制作方法，其特征是：所述热电堆为P型多晶硅热偶条在上、或者N型多晶硅热偶条在上；其中：

通过低压化学汽相方法淀积3000A厚度的多晶硅层，离子注入硼，剂量1.5E16cm?2,能量50KeV,然后光刻腐蚀形成所述P型多晶硅热偶条，条宽为10um;通过低压化学汽相方法淀积厚度为3000A的多晶硅层，离子注入磷，剂量1.5E16cm?2,能量50KeV,然后光刻腐蚀多晶硅形成所述N型热