CN102757011B 微机械热电堆红外探测器及其制作方法 （中北大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN102757011B公告日2015.07.15

(21)申请号201110104209.9

(22)申请日2011.04.25

(73)专利权人中北大学

地址030051山西省太原市学院路3号中北

大学

专利权人中国科学院微电子研究所

(72)发明人薛晨阳贾平岗谭秋林张文栋刘俊熊继军夏燕欧文

陈大鹏明安杰刘战峰袁烽赵利俊

GO1J5/12(2006.01)

(56)对比文件

CN1960017A,2007.05.09,全文.

CN101575083A,2009.11.11,全文.

CN1281262A,2001.01.24,全文.

CN101880914A,2010.11.10,全文.

DE102008041131A1,2010.02.11,全文.审查员杨靖

(74)专利代理机构北京蓝智辉煌知识产权代理

事务所(普通合伙)11345代理人陈红

(51)Int.CI.

B81C1/00(2006.01)

B81B3/00(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图8页

(54)发明名称

微机械热电堆红外探测器及其制作方法

(57)摘要

CN102757011B一种微机械热电堆红外探测器及其制作方法，在衬底表面形成具有自停止腐蚀作用的封闭凹槽；淀积形成介质支撑膜；淀积多晶硅，然后通过2次离子注入加光刻腐蚀分别形成P型和N型多晶硅热偶条，两热偶条之间淀积隔离层；光刻腐蚀隔离层，将热电堆之间的区域暴露出介质支撑膜形成吸收区；溅射一层金属形成金属连接；在吸收区表面淀积一层多晶硅或非晶硅层，然后经过Cl?、HBr干法不完全刻蚀形成表面为锥状森林结构的吸收层；光刻出腐蚀孔，通入XeF?气体进行干法刻蚀释放正面结构。本发明使用多晶硅作为吸收层材料，提高了传统SiNx吸收层的吸收率，且工艺简便。使用P/N型多晶硅作为热电偶，避免金属热偶与CMOS兼容性差的问题，有效提高

CN102757011B

步骤10.在衬底表面形成封闭凹椭

步骤10.在衬底表面形成封闭凹椭

步撬20,形成介质支撑膜

步骤30,形成P型多品硅热偶条

步骤40,键积离层，然后离子注入后光刻腐饮形成N型多品储热偶条

步骤50,光刻腐蚀S102隔离层形成吸收区

步誓60,形成金属连接

步骤65,形成饨化层

步骤70,淀积多品硅，注入离了砷，然后经过C12、或IBrI法不完全刻蚀，在吸收区表面形成馔状森林结构

步骤80,在吸收区光刻出腐蚀孔，进行干法刻该邪敢正面结构形成悬臂梁结构

CN102757011B权利要求书1/2页

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1.一种微机械热电堆红外探测器的制作方法，其特征是：包括以下步骤：

步骤10,在晶片衬底表面形成具有自停止腐蚀作用的封闭凹槽；

步骤20,淀积SiO?层形成介质支撑膜，SiO?同时填充所述封闭凹槽；

步骤30和40,在所述介质支撑膜上淀积多晶硅，接着离子注入加光刻腐蚀形成P型或N型多晶硅热偶条；淀积隔离层；然后再淀积多晶硅，接着再离子注入加光刻腐蚀形成N型或P型多晶硅热偶条；最后形成多组由P/N型多晶硅热偶条上下叠置构成的热电堆；

步骤50,光刻腐蚀所述隔离层，将所述热电堆之间的区域暴露出介质支撑膜以便形成吸收区；

步骤60,溅射一层金属，经光刻腐蚀后形成金属连接和所述探测器的金属焊盘；

步骤70,淀积一层多晶硅或非晶硅层，接着注入离子砷，然后经过Cl?或HBr干法不完全刻蚀，经光刻腐蚀形成表面为锥状森林结构的吸收层；

步骤80,光刻出腐蚀孔，通入XeF?气体进行干法刻蚀释放正面结构。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：

步骤60和步骤70之间还包括步骤65,通过低压化学汽相淀积低温淀积一层钝化层，光刻腐蚀后只露出所述吸收区和金属焊盘；

步骤70中的砷离子注入剂量4E15cm2,注入能量140Kev,Cl?或HBr干法不完全刻蚀的刻蚀深度约为5000A-10000A;

步骤80中，光刻出腐蚀孔后通入XeF?气体之前还包括：淀积一层光刻胶，在所述吸收层区域表面形成一层保护层，然后再光刻一次暴露出所述吸收层，从而在所述腐蚀孔的侧壁的吸收层材料表面留下一层保