T_CASAS 045-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态栅偏试验方法.docxVIP

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  • 2026-03-16 发布于河北
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T_CASAS 045-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态栅偏试验方法.docx

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS045—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)动态栅偏试验方法

Dynamicgatestresstestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

semiconductorfieldeffect

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