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集成电路芯片封装技术复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共40分）

1.集成电路封装的主要作用不包括（）

A.保护芯片免受环境损伤

B.实现芯片与外部电路的电气连接

C.提高芯片的运算速度

D.提供机械支撑和散热

2.下列封装类型中，属于表面贴装技术的是（）

A.DIP（双列直插封装）

B.QFP（四边引脚扁平封装）

C.TO（金属壳封装）

D.PGA（栅格阵列封装）

3.芯片键合技术中，利用超声波能量实现金属丝与焊盘连接的是（）

A.热压键合

B.超声键合

C.共晶键合

D.粘接键合

4.封装材料中，用于芯片与基板间粘接的典型材料是（）

A.环氧模塑料（EMC）

B.导电胶

C.聚酰亚胺

D.硅胶

5.2.5D封装的核心结构是（）

A.硅中介层（SiliconInterposer）

B.垂直互连（TSV）

C.芯片堆叠

D.重分布层（RDL）

6.下列属于先进封装技术的是（）

A.DIP封装

B.BGA封装

C.Chiplet异构集成

D.TO封装

7.封装可靠性测试中，高温工作寿命测试的缩写是（）

A.HTRB

B.HTOL

C.THB

D.PCT

8.扇出型封装（Fan-out）的主要特点是（）

A.芯片焊盘直接连接到基板

B.重分布层（RDL）在封装体外部

C.必须使用TSV技术

D.仅适用于单芯片封装

9.下列材料中，常用于基板的是（）

A.单晶硅

B.BT树脂

C.聚苯乙烯

D.玻璃

10.倒装芯片（FlipChip）与引线键合（WireBonding）相比，主要优势是（）

A.成本更低

B.寄生参数更小

C.工艺更简单

D.适用于大尺寸芯片

11.3D封装中，实现芯片垂直互连的关键技术是（）

A.WireBonding

B.TSV（硅通孔）

C.TAB键合

D.RDL

12.下列属于无引线封装的是（）

A.QFP

B.SOP

C.BGA

D.DIP

13.封装体中，用于吸收应力、防止开裂的材料是（）

A.EMC

B.下填料（Underfill）

C.焊膏

D.导热硅脂

14.异构集成（HeterogeneousIntegration）的主要目的是（）

A.降低芯片制造成本

B.实现不同工艺芯片的协同工作

C.提高芯片纯度

D.减少封装层数

15.封装散热设计中，热界面材料（TIM）的作用是（）

A.增强电气绝缘

B.填充接触面间隙，降低热阻

C.防止氧化

D.固定芯片

16.下列属于晶圆级封装（WLP）技术的是（）

A.CSP

B.BGA

C.QFN

D.PGA

17.电迁移（Electromigration）失效主要发生在（）

A.芯片内部电路

B.封装体塑料

C.金属互连导线

D.焊盘

18.封装密度通常定义为（）

A.封装体积与芯片体积之比

B.芯片面积与封装面积之比

C.封装引脚数与芯片尺寸之比

D.封装重量与芯片重量之比

19.高频封装设计中，需要重点优化的参数是（）

A.封装高度

B.寄生电感和电容

C.封装颜色

D.标识清晰度

20.先进封装技术中，Chiplet模式的核心优势是（）

A.提高芯片集成度

B.降低先进制程成本，实现灵活组合

C.简化封装流程

D.增强芯片散热能力

二、多选题（每题3分，共15分）