1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 产品手册

CN103606551B 碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.89万字
  • 约 39页
  • 2026-03-15 发布于重庆
  • 举报

CN103606551B 碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docx

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利

    (45)授权

    (10)授权公告号CN103606551B公告日2016.08.17

    (21)申请号201310492586.3

    (22)申请日2013.10.18

    (73)专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司

    地址100192北京市海淀区清河西小口路

    66号中关村东升科技园B-1西厅

    (72)发明人倪炜江陈彤

    (74)专利代理机构北京正理专利代理有限公司

    (56)对比文件

    CN103354208A,2013.10.16,

    US2013/

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >