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CN103606551A 碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-15 发布于重庆
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CN103606551A 碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docx

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN103606551A

    (43)申请公布日2014.02.26

    (21)申请号201310492586.3

    (22)申请日2013.10.18

    (71)申请人泰科天润半导体科技(北京)有限公司

    地址100192北京市海淀区清河西小口路

    66号中关村东升科技园B-1西厅

    (72)发明人倪炜江陈彤

    (74)专利代理机构北京正理专利代理有限公司

    11257

    代理人张雪梅李娜

    (51)Int.CI.

    HO1L

    21/337(2006

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