CN103342333B 基于cmos dptm工艺的红外热电堆型传感器及其制作方法 (江苏物联网研究发展中心).docxVIP

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CN103342333B 基于cmos dptm工艺的红外热电堆型传感器及其制作方法 (江苏物联网研究发展中心).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103342333B公告日2015.12.09

(21)申请号201310287883.4

(22)申请日2013.07.09

CN102938444A,2013.02.20,CN103145094A,2013.06.12,CN1851950A,2006.10.25,

(73)专利权人江苏物联网研究发展中心

地址214135江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园C座4楼(72)发明人孟如男王玮冰

JP特开2002-335023A,2002.11.22,CN102128685A,2011.07.20,

审查员冷林霞

(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104

代理人殷红梅

(51)Int.CI.

B81BB81CG01J

7/00(2006.01)1/00(2006.01)

5/14(2006.01)

(56)对比文件

CN102955046A,2013.03.06,

权利要求书1页说明书6页附图12页

(54)发明名称

基于CMOSDPTM工艺的红

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