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AlGaN/GaN异质结构变温电学特性：机理、测试与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子器件领域，AlGaN/GaN异质结构凭借其卓越的性能，已然成为研究的焦点与热点。作为第三代半导体材料的典型代表，AlGaN/GaN异质结构具备宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子速度以及高热导率等一系列优异特性，这些特性使得其在高功率、高频以及高温电子器件应用中展现出传统半导体材料难以企及的优势。在5G通信、卫星通信、雷达系统等高频领域，AlGaN/GaN异质结构制成的高电子迁移率晶体管（HEMT）能够实现更高的工作频率和功率密度，显著提升通信和探测的效率与精度；在新能源汽车、智能电网等功率电子领域，其高击穿电压和低导通电阻的特点，有助于降低能量损耗，提高系统的能源利用效率；而在航空航天、石油勘探等高温环境应用场景中，AlGaN/GaN异质结构的高热稳定性保证了器件能够稳定可靠地运行。

随着科技的迅猛发展，对电子器件性能的要求日益严苛，不仅期望其在常温下具备优良的性能，更需要在更宽的温度范围内保持稳定且高效的工作状态。研究AlGaN/GaN异质结构的变温电学特性，对于深入理解其内在物理机制、拓展应用范围以及提升器件性能具有关键作用。温度作为一个关键的外部因素，会对AlGaN/GaN异质结构的电学性能产生多方面的显著影响，如载流子浓度、迁移率、能带结构以及界面特