CN103342332B 基于cmos工艺的集成热电堆红外探测系统及其制作方法 (江苏物联网研究发展中心).docxVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.61万字
  • 约 37页
  • 2026-03-16 发布于重庆
  • 举报

CN103342332B 基于cmos工艺的集成热电堆红外探测系统及其制作方法 (江苏物联网研究发展中心).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN103342332B

(45)授权公告日2015.09.23

(21)申请号201310284332.2

(22)申请日2013.07.08

(73)专利权人江苏物联网研究发展中心

地址214135江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园C座4楼

(72)发明人孟如男王玮冰

(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104

代理人殷红梅

(51)Int.CI.

B81B7/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

GO1J5/20(2006.01)

(56)对比文件

CN101476941A,2009.07.08,

CN102955046A,2013.03.06,

CN102322961A,2012.01.18,

CN103145094A,2013.06.12,

杨恒昭.CMOS兼容的干法刻蚀释放热电堆红外探测器.《中国优秀硕士学位论文全文数据库》.2008,(第10期),全文.

审查员冷林霞

权利要求书2页说明书7页附图9页

(54)发明名称

基于

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档