CN103413824A 一种rcligbt器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103413824A

(43)申请公布日2013.11.27

(21)申请号201310300568.0

(22)申请日2013.07.17

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人张金平杨文韬陈钱顾鸿鸣刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227

代理人李顺德王睿

(51)Int.CI.

HO1L29/739(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

HO1L21/331(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种RC-LIGBT器件及其制作方法

(57)摘要

CN103413824A89一种RC-LIGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件及集成电路领域。本发明在传统RC-LIGBT结构的基础上，在器件集电极结构中引入了P型阱区，该P型阱区将集电极结构中的N+集电极短路区包围在里面，且通过连接金属与N型场截止区短接。本发明提供的RC